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これらのファイバー結合型520nmレーザーダイオードは、在庫品として提供されます。 またはCWまたはパルスレーザーダイオードドライバーに関連する。 urの新しい14ピン「DIL」パッケージ（TEC付き）、そのバタフライアダプテーションキットは、あらゆるバタフライレーザーダイオードドライバーボードに実装することができます。 また、当社の低ノイズCWドライバーや高速ナノ秒パルスドライバーとの互換性があります。 520nmのレーザーダイオードは、ナノ秒パルス領域で最大75mWの高出力に達することができます。 ...
逆電圧: 1,200, 1,700, 650, 1,300 V
温度域: -40 °C - 210 °C
... 200°C 動作 低 RDS(on)で高い阻止電圧 密閉パッケージ ソリトロンの炭化ケイ素（SiC）ショットキーダイオードは、650V～1700Vの範囲で、シングル、デュアル、ブリッジ構成があります。ハーメチックパッケージを含む多様なパッケージで入手可能で、設計者に高効率と究極の堅牢技術を提供します。全容量電荷（Qc）が小さいため、スイッチング損失が低減され、高速スイッチング動作が可能になります。さらに、温度とともにtrrが増加するSiベースのファストリカバリー・ダイオードとは異なり、炭化ケイ素（SiC）ダイオードは一定の特性を維持するため、より優れた性能を発揮します。 200℃動作のハーメチックTO-258パッケージにより、これらの650V～1700VのSiCダイオードは、電源、モーター制御、および最小サイズ、最軽量、最高効率レベルを必要とするアプリケーションに最適です。COTS、TX、TXV、Sレベルのスクリーニングが可能です。 ...
逆電圧: 60 V
温度域: -55 °C - 200 °C
... CLA4605-085LFは、表面実装可能な低キャパシタンスのシリコンPINリミッタダイオードで、10MHzから6GHz以上のハイパワーリミッタアプリケーション用のシャント接続PINダイオードとして設計されています。 10mAでの最大抵抗値は2Ω、6Vでの最大静電容量は0.45pFです。CLA4605-085LF は、低接合容量、低寄生インダクタンス、低熱抵抗、公称 2 um の I 領域幅の組み合わせにより、大信号リミッタ・アプリケーションに有用です。スレッショルドレベルは公称+9dBmです。 CLA4605-085LF ...
... CAESは、BIT、ショットキー・ダイオード、スレッショルド、トンネル・ダイオードなど、お客様の設計に適したRFディテクタを幅広く提供しています。 CAESのRFディテクタは、ショットキーダイオードまたはトンネルダイオードデバイスを使用した多様な構成でご利用いただけます。実装構成は、「ボルトチャンネル」デバイスから、完全に接続されたものまで幅広く、一般的に高度にカスタマイズされた機能が要求されます。パッケージングスタイルは、ストリップライン、マイクロストリップ、コネクテッドアプリケーションに対応し、内部バイアス（内部パッド使用）と様々な感度範囲を含むことができます。 幅広い標準品を取り揃えており、周波数や感度のニーズに合わせたカスタマイズも可能です。トンネル・ダイオード・ディテクタは、広い温度範囲にわたって最高の安定性を提供します。 トンネル・ダイオード検出器は、広い温度範囲で最高の安定性を提供します。 ...
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