Poliammide in lastra Semitron® ESD 520HR PAI
in barreper l'aeronautica

Poliammide in lastra - Semitron® ESD 520HR PAI - Mitsubishi Chemical Advanced Materials - in barre / per l'aeronautica
Poliammide in lastra - Semitron® ESD 520HR PAI - Mitsubishi Chemical Advanced Materials - in barre / per l'aeronautica
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Caratteristiche

Forma
in barre, in lastra
Altre caratteristiche
per l'aeronautica
Temperatura di funzionamento

Min.: 230 °C
(446 °F)

Max.: 425 °C
(797 °F)

Descrizione

Semitron® PAI è un portafoglio di materiali a base di poliammide imide sviluppati per applicazioni estremamente impegnative nella produzione di semiconduttori e dispositivi elettronici, come ad esempio gamme di tensione elevate, alte temperature e applicazioni in camera a vuoto che richiedono alti livelli di purezza ionica. Ogni prodotto offre le eccezionali proprietà meccaniche e termiche della PAI, con formulazioni speciali per soddisfare i severi requisiti di purezza e tensione della produzione di semiconduttori. Dalla resistenza alla rottura dielettrica e a tensioni che vanno da 100 a 1000 V, ai bassi tassi di degassamento e di erosione nelle camere al plasma, i PAI Semitron® durano più a lungo e superano le prestazioni di altri materiali utilizzati nell'industria dei semiconduttori e dell'elettronica. Semitron® ESD 520HR è un materiale PAI a dissipazione elettrostatica che possiede la capacità unica di resistere alla rottura dielettrica ad alte tensioni. Di conseguenza, Semitron® ESD 520HR è l'unico grado di Semitron® che mantiene le sue prestazioni per tutta la gamma di tensioni da 100V a 1000V, offrendo al contempo le prestazioni meccaniche necessarie per eccellere nelle applicazioni più esigenti. Questa caratteristica, unita all'elevata resistenza e al calore, rende Semitron® ESD 520HR una soluzione ideale per le apparecchiature di prova e le applicazioni di manipolazione dei dispositivi nell'industria dei semiconduttori e dell'elettronica. Le forme Semitron® MPR 1000 possiedono un'eccellente resistenza al calore e bassi tassi di degassamento ed erosione nelle camere al plasma. Questo materiale ad alta purezza e a basso contenuto ionico viene spesso scelto per applicazioni in camere a vuoto nei segmenti etch, CVD e impianti ionici dell'industria dei semiconduttori e dell'elettronica.

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Cataloghi

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