Diode Schottky SD11801

à pontde haute tensionà grande vitesse de commutation

■ 200°C Fonctionnement ■ Tension de blocage élevée avec faible RDS(on)Boîtiers hermétiques Les diodes Schottky en carbure de silicium (SiC) de Solitron vont de 650V à 1700V et comprennent des configurations simples, doubles et en pont. Disponibles dans une grande variété de boîtiers, y compris les boîtiers hermétiques, elles offrent aux concepteurs un rendement élevé et le nec plus ultra en matière de technologie robuste. La charge capacitive totale (Qc) est faible, ce qui réduit les pertes de commutation et permet une commutation à grande vitesse. En outre, contrairement aux diodes à récupération rapide à base de Si, dont le trr augmente avec la température, les diodes en carbure de silicium (SiC) conservent des caractéristiques constantes, ce qui se traduit par de meilleures performances. Les boîtiers hermétiques TO-258 avec un fonctionnement à 200°C font de ces diodes SiC 650V à 1700V la solution idéale pour les alimentations, les commandes de moteur et les applications nécessitant la taille la plus petite, le poids le plus léger et les niveaux d'efficacité les plus élevés. Les niveaux de blindage COTS, TX, TXV et S sont disponibles. Des configurations et des conditionnements personnalisés, y compris des modules de puissance, sont disponibles sur demande. Voir la série PowerMOD de Solitron pour plus d'informations.