La esencia del efecto Hall: Cuando los portadores en el material sólido se mueven en el campo magnético aplicado, la trayectoria se desplaza debido a la fuerza de Lorentz, y la acumulación de carga se produce en ambos lados del material, formando un campo eléctrico perpendicular a la dirección de la corriente; Por último, la fuerza de Lorentz del portador se equilibra con la repulsión del campo eléctrico, estableciendo así una diferencia de potencial estable en ambos lados, es decir, el voltaje Hall.
Los resultados experimentales de los sistemas de ensayo de efecto Hall de la serie Dexinmag son calculados automáticamente por el software al mismo tiempo, tales como la concentración de portador a granel, la concentración de portador en lámina, la movilidad, la resistividad, el coeficiente Hall, la magnetorresistencia y otros parámetros importantes.
Concentración de portador
10³cm-³ - 10²³cm-³
Movilidad - 0,1 cm²/ volt*seg - 10⁸cm²/ volt*seg
Rango de resistividad
10-⁷ Ohm*cm - 10¹² Ohm*cm
Tensión Hall - 1 uV - 3V
Coeficiente Hall
10-⁵ - 10²⁷cm³/ C
Tipo de material comprobable - Material semiconductor - SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP,AlGaAs, HgCdTe y materiales de ferrita, etc.
material de baja resistencia - Grafeno, metales, óxidos transparentes, materiales semiconductores débilmente magnéticos, materiales TMR, etc.
material de alta resistencia - GaAs, GaN, CdTe semiaislantes, etc.
Partículas conductoras de materiales - Ensayos de tipo P y tipo N de materiales
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