Schottky-Diode SD11801

BrückenHochspannunghohe Schaltgeschwindigkeit

■ 200°C Betrieb ■ Hohe Sperrspannung mit niedrigem RDS(on)Hermetic Packages Die Siliziumkarbid (SiC)-Schottky-Dioden von Solitron reichen von 650 V bis 1700 V und umfassen Einzel-, Doppel- und Brückenkonfigurationen. Sie sind in einer Vielzahl von Gehäusen, einschließlich hermetischer Gehäuse, erhältlich und bieten Entwicklern einen hohen Wirkungsgrad und die ultimative robuste Technologie. Die gesamte kapazitive Ladung (Qc) ist gering, was die Schaltverluste reduziert und einen schnellen Schaltbetrieb ermöglicht. Im Gegensatz zu Si-basierten Fast-Recovery-Dioden, bei denen der trr-Wert mit der Temperatur ansteigt, behalten Siliziumkarbid-Dioden (SiC) außerdem konstante Eigenschaften bei, was zu einer besseren Leistung führt. Mit hermetischen TO-258-Gehäusen und einem Betriebstemperaturbereich von 200°C eignen sich diese SiC-Dioden mit 650 V bis 1700 V ideal für Stromversorgungen, Motorsteuerungen und Anwendungen, die kleinste Abmessungen, geringes Gewicht und höchste Wirkungsgrade erfordern. COTS-, TX-, TXV- und S-Level-Screening ist verfügbar. Kundenspezifische Konfigurationen und Verpackungen, einschließlich Leistungsmodule, sind auf Anfrage erhältlich. Weitere Informationen finden Sie in der PowerMOD-Serie von Solitron.