Epoxidkleber EP42HT-2LO

für die LuftfahrtZweikomponentengeringe Ausgasung

Beständig bis zu +450°F Erfüllt die NASA-Anforderungen an geringe Ausgasung Kann in Dicken von mehr als 2-3 Zoll gegossen werden Hohe Festigkeitseigenschaften Hält 1.000 Stunden 85°C/85% RH stand Master Bond EP42HT-2LO ist ein bei Raumtemperatur aushärtendes Zweikomponenten-Epoxid-, Klebstoff-, Dichtungs-, Beschichtungs- und Gussmaterial, das sich durch hohe Temperaturbeständigkeit und hervorragende chemische Beständigkeit auszeichnet. Es härtet bei Umgebungstemperaturen schnell aus und bei höheren Temperaturen noch schneller. EP42HT-2LO ist ein hervorragendes Epoxidklebstoffsystem und kann bis zu einer Dicke von mehr als 2-3 Zoll gegossen werden. EP42HT-2LO hat ausgezeichnete physikalische Festigkeitseigenschaften und Dimensionsstabilität. Das Mischungsverhältnis beträgt 100:40 nach Gewicht oder 100:50 nach Volumen und ist einfach anzuwenden. Die ausgehärtete Epoxidverbindung ist beständig gegen verschiedene Arten von Kraftstoffen, Ölen, Säuren, Basen, Kohlenwasserstoffen und vielen Lösungsmitteln. EP42HT-2LO ist ein ausgezeichneter elektrischer Isolator. Besonders erwähnenswert ist seine Einsatzfähigkeit von -60°F bis +450°F. Zur Optimierung der physikalischen Eigenschaften, einschließlich der Wärmebeständigkeit und der geringen Ausgasung, insbesondere bei Aushärtung bei Raumtemperatur, wird eine Nachhärtung bei 200°F für 2-3 Stunden empfohlen. EP42HT-2LO kann in der Luft- und Raumfahrt, in optischen, elektronischen und elektrooptischen Anwendungen sowie in speziellen OEM-Anwendungen eingesetzt werden. Da EP42HT-2LO die NASA-Spezifikationen für geringe Ausgasung erfüllt, kann es in besonderen Situationen eingesetzt werden, z. B. in Vakuumumgebungen, in denen diese Eigenschaft zwingend erforderlich ist. Die Farbe von Teil A ist klar und Teil B ist bernsteinfarben. Produktzitat EP42HT-2LO wurde in einem Artikel mit dem Titel "Design and Implementation of Coating Hardware for the Hobby-Eberly Telescope Wide-Field Corrector" von John Good, Hanshin Lee zitiert